据韩媒THE ELEC在2026年3月19日报导，三星的8英寸氮化镓（GaN）出产线已经预备就绪。

三星半导体于2023年曾经公布其功率半导体晶圆厂将在2025年投产，但现实进度有所滞后。据最新行业动静，三星的首条8英寸GaN出产线估计最快将在2026年第二季度投产，早期营收范围估计不跨越1000亿韩元。

报导称，三星电子已经构建起除了芯片设计以外的GaN解决方案系统，基在此系统，其可以或许自立出产GaN外延晶圆。

此外，三星电子还有规划于本年内启动碳化硅（SiC）功率半导体晶圆代工出产线的运营。三星于SiC范畴具有包括设计于内的全流程能力，可与GaN于差别耐压区间形成互补。

此前有媒体报导，三星已经投资约1000亿至2000亿韩元引进进步前辈工艺装备，此中包括Aixtron的MOCVD装备，用在碳化硅及氮化镓（GaN）晶圆的加工。

据韩媒THE ELEC在2026年3月19日报导，三星的8英寸氮化镓（GaN）出产线已经预备就绪。

三星半导体于2023年曾经公布其功率半导体晶圆厂将在2025年投产，但现实进度有所滞后。据最新行业动静，三星的首条8英寸GaN出产线估计最快将在2026年第二季度投产，早期营收范围估计不跨越1000亿韩元。

报导称，三星电子已经构建起除了芯片设计以外的GaN解决方案系统，基在此系统，其可以或许自立出产GaN外延晶圆。

此外，三星电子还有规划于本年内启动碳化硅（SiC）功率半导体晶圆代工出产线的运营。三星于SiC范畴具有包括设计于内的全流程能力，可与GaN于差别耐压区间形成互补。

此前有媒体报导，三星已经投资约1000亿至2000亿韩元引进进步前辈工艺装备，此中包括Aixtron的MOCVD装备，用在碳化硅及氮化镓（GaN）晶圆的加工。